800-1700nm 6GHZ InGaAs PIN фотодетектор Диодная волоконная муфта

Характеристика:

Высокая надежность, низкий Темный ток, положительная структура чипа

Применение:

1. Контроль промышленной автоматизации 2. Научный анализ и эксперимент 3. Аналоговый кабельный ТВ

4. Оптоволоконная связь 5. Быстрый тест оптического импульса 6. Оптический рефлектометр

7. Оптоволоконный датчик

Основные характеристики:

1. Модель LSIPD-A40

2. Длина волны отклика: 800-1700nm

3. Темный ток: 0,3 на @-5 В

4. Время нарастания: 70 пс (> 6 ГГц) @-5 В

5. Инкапсуляция: TO-46 Can, оптоволоконная муфта, Опционный оптический интерфейс

6. Чувствительность:

0,85 мА/мВт @ 1310 нм 0,90 мА/мВт @ 1550 нм