800-1700nm 170ps ультра-низкий Темный ток Индий галлия арсенид контактный фотодетектор диод Высокая ответственность

Характеристика:

Высокая надежность, Ультра низкий Темный ток, положительная структура чипа

Применение:

1. Контроль промышленной автоматизации 2. Научный анализ и эксперимент 3. Оптический волоконный датчик

4. Высокоточные Оптические инструменты и т. Д.

Основные характеристики:

1.Модель: LSIPD-LD50

2.Ответ Длина волны лазера: 800-1700nm

3.Темный ток: 0,01 на @ 0 В

4.Времени нарастания импульсов: 170 пс (> 2 ГГц) @-5 В

5.Инкапсуляция: TO-46 Can, оптоволоконная муфта, Опционный оптический интерфейс

6.Чувствительность:

0,85 мА/мВт @ 1310 нм

0,90 мА/мВт @ 1550 нм